德州仪器将GN功率元件和驱动器集成在小贸易
美国德州仪器(Texas Instruments)开发出了将两个GaN功率元件以及一个GaN功率元件驱动器集成在单个封装内的MCM(多芯片模块)“LMG5200”,现已开始样品供货。新产品采用QFN封装,尺寸仅为8mm×6mm,最大输入电压为80V,额定输出电流为10A。该公司还将提供配备LMG5200的评估基板。LMG5200的样品价格为50美元,评估基板的价格为299美元。新产品将主要用于通信设备和工业设备等。
采用GaN功率元件后,与硅功率元件尤其是超结(Super Junction)构造的硅MOSFET相比,有望提高开关频率、降低电源损耗。新产品能够以低损耗轻松地实现几MHz的开关频率。前面提到的配备LMG5200的评估基板就支持最大5MHz的开关频率。据德州仪器介绍,耐压为 0~40V的GaN功率元件还打算采用10MHz的开关频率。
新产品中集成的GaN功率元件是美国EPC公司的常闭工作型产品。德州仪器收购的美国National Semiconductor就是为EPC公司的GaN功率元件生产驱动器IC的。
不过,据德州仪器介绍,“今后不会只为EPC公司的GaN功率元件提供驱动器”。在一个封装内集成GaN功率元件和驱动器的MCM目前只有LMG5200,“单就驱动器而言,我们希望向所有企业的GaN功率元件提供驱动器”(德州仪器)。
此外,德州仪器还公开了48V的通信设备用PoL电源。这款电源可以将48V的输入电压降压至1.8V后输出。德州仪器表示,“原来的硅功率元件在将48V降至1.8V时需要多级电路,而GaN功率元件只需一级电路即可”。与原来采用硅功率元件的产品相比,此次的PoL电源可将电力损耗削减约25%。除了LMG5200以外,PoL电源还配备了德州仪器的数字电源控制用控制器IC“UCD 1 8”。
这款PoL电源正与LMG5200一起,在2015年 月15~19日举行的功率电子展会“Applied Power Electronics Conference and Exposition(APEC)”上展出。(:根津 祯)
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